该成果标志着PRAM（phase change RAM）进入了实用化前的“收官阶段”——韩国三星电子日前发表了一项得到内存专家如此评价的成果（演讲序号：15.1）。与以前着重改善存储元件特性和提高集成容量不同，此项成果着重于抑制制造工艺中产生的存储元件之间的特性差异。
      目标是复位电流及置位电阻的均匀化
       此次该公司面向数百Mbit级PRAM的实用化研究内容是，抑制存储单元的存储元件之间的差异，确保较大的读取动作裕度。
       三星透露，PRAM的存储元件之间容易产生特性差异的是：（1）复位动作时流过元件的电流（复位电流），（2）置位动作时元件的电阻（置位电阻）这两者。其主要原因分别是：（1）相?淠ぃ?ST：GeSbTe）与下部电极（BEC：bottom electrode contact）的接触面积的差异，（2）GST与BEC的界面中混入氧（O）原子而产生氧化现象。
       三星用下述方法抑制了256Mbit单元阵列的存储元件间差异。其结果，确保了在置位状态与复位状态之间读取时有足够的2位数的电阻比，同时也实证了高达10的8次方的擦写次数。
      消除相?淠び胂虏康缂?缑嫔系牟钜
       （1）为了防止GST与BEC的接触面积的差异，该公司改进了BEC的研磨（CMP：chemical mechanical polishing）工艺。二者的接触面积差异，是在形成GST之前的研磨工艺中，由于元件之间构成BEC的芯的绝缘膜材料的切削深度不同而造成的。于是该公司用新材料取代了以前的绝缘膜材料，同时配合该材料对研磨条件进行了优化。由于实现了对元件间BEC芯的均一切削，结果成功地使复位电流能够不随元件改变而变化，大约稳定在450μA。
       （2）为了防止GST与BEC的界面中混入O原子，制作形成了覆盖存储元件的保护膜。由此，使置位电阻不随元件改变而变化，大约稳定在5kΩ。该公司未公布保护膜的材料，但表示采用2种材料的堆叠结构时，防止O原子混入的效果较好。