受惠于NAND型快闪记忆体（Flash）出货量大增，DRAM价格走稳，以及成本效益发挥等因素挹注下，南韩记忆体大厂海力士（Hynix）2006年第二季（4～6月）净利达3,244亿韩元（约3.39亿美元），较2005年同期跃升36％，营收亦成长28％，达1.58兆韩元（约16.5亿美元）。虽获利略低于分析师预估，但反应本业表现的营运获利率高达51％，明显超越对手三星电子（Samsung Electronics）水准。分析师并看好DRAM市况，预期将对海力士下半年获利有所助益。
       海力士表示，DRAM价格在第二季止跌回温，较前1季微幅上升1％，而出货量约较前1季成长20％。在NAND型Flash方面，海力士表示延续前1季跌价走势，第二季价跌44％，而出货量则劲扬84％。
       相较于三星受累于生产延后问题，第二季NAND型Flash出货季增率仅为17％，DRAM出货成长约13％，成长幅度明显不如海力士。
       海力士第二季营运获利达3,230亿韩元，换算营运获利率为51％，表现同样亮眼。相较之下，三星半导体部门第二季营收成长6％，达4.42兆韩元，但营运获利下滑11％，达9,800亿韩元，营运获利率仅为22％，海力士明显在获利上高于对手。南韩投资机构SH Asset Management基金经理人表示，不难看出海力士当季表现优于大多数对手。
       Korea Investment & Securities分析师表示，海力士DRAM价格在第二季跌20％，然而海力士当季成本却迅速下降30％，亦为获利提升的主因。
       投资机构KTB Asset Management预期，拜DRAM市场复苏所赐，海力士获利将在2006年下半持续提升。另有分析师则看好DRAM市况，认为供应吃紧将持续至2006年底，反之，预测受到厂商大多增产的影响，NAND型Flash市况仍需谨慎以对。