三星电子对外界宣布近日已经成功研发出速度更快存储容量更高的，堪称世界快的记忆芯片--OneNAND。这款芯片采用了的60纳米技术制作工艺从而再次推动制造工艺的发展。

       新款2GB的OneNAND芯片不仅容量叫1GB的OneNAND高出一倍，而且数据写入速度也从每秒9.3MByte提升至每秒17MByte。NOR闪存快速读取的速度和NAND闪存高存储容量加上快速写入速度，OneNAND把握住了巨大的潜在市场和一系列的多媒体手机应用比如数字式摄像头，可扩展式记忆卡，个人电脑和数字电视等。

       此外，这种芯片能够交叉存取从而来获取更大的存储空间，更多的芯片被相互连接更多的数据可以彼此共享。例如，当8块容量为2GB的记忆芯片被组合在一起的时候OneNAND的写入能力就会被提升为136MByte每秒。