gzyueqian
13424082685
首页 > 新闻中心 > > 正文

存储技术革命性突破 存储芯片MRAM问世

更新时间: 2006-07-18 15:05:14来源: 粤嵌教育浏览量:319

       从摩托罗拉分拆出来的飞思卡尔公司近宣布了一种新的磁性存储芯片。该项发明可能会改变移动设备的设计。

       这个月初,飞思卡尔发售了4Mbit的磁阻RAM芯片(MRAM),该产品有目前市面产品的优点,却没有他们的不足。和以往芯片使用电荷存储消息不同,MRAM使用磁场存储消息。

芯片

       普通的RAM速度快,不过耗电而且一掉电就会丢失数据。在数码相机和手机在经常诗使用的闪存掉电后仍能保存数据,不过速度慢。而新型的MRAM,速度快,掉电后不会丢失数据。因此部分支持者称它为“芯片”。

       如果真如所说的话,MRAM可以取代电脑里面的内存,甚至是移动设备里的微硬盘。用到电脑上的话,电脑就可以马上开机了。

革命性突破

       技术调查公司Current Analysis的分析师Nicole d'Onofrio:“毫无疑问,这是存储市场的一个革命性突破。它加速了静态RAM和非易失性闪存。”她指出,刚进入市场的MRAM还没有充分显示它的潜力。不过,MRAM终会在性能上超过目前的芯片,成为电脑和移动设备市场的热门选择。这可是一个大市场。单单闪存季度的销售额就达到50亿美元。

       飞思卡尔表示,它和其他公司已经研究该项技术超过十年了。接下来的十八个月内,该公司打算将MRAM打进消费电子、汽车和更多市场。

免费预约试听课