存储器市场研究机构DRAMeXchange日前表示，在现货市场，在模块厂商及分销商手中均备有DDR库存状况下，上周（6月13日-20日）DDR价格微幅走跌。DDR 256Mb(32Mb*8)400MHz价格小跌至2.39美元，DDR 512Mb (64Mb*8)400MHz，价格小跌至4.84美元。至于DDR eTT部份，在上周力晶半导体公布价格之后，价格随即开始走跌，DDR 256Mb eTT上周价格由2.37美元下跌至2.35美元。

英特尔CPU降价期望影响需求，6月下旬DRAM价格压力浮现

       至于DDR2部分，随着几家台湾地区厂商DDR2比例增加，DDR2价格下跌压力开始浮现，DDR2 533MHz 512Mb(64Mb*8)价格下跌至4.73美元。DDR2 512Mb 64Mx8 eTT(UTT)价格则下跌在3.66美元。

       合约市场部分，6月下旬DRAM合约价格普遍已有下滑现象，DDR模块部分，尽管DDR仍处于供给吃紧状态，但是在PC OEM厂持续杀价压力下，DDR在low的价格已出现松动。至于DDR2模块部分，价格平均下跌4-5%。

       从市场供需分析，目前无论是DDR或DDR2需求均十分疲弱，主要原因在于英特尔预告CPU7月份将大降价，所有买家都在等待降价造成PC市场需求推后。而在供给方面，由于6月底为半年报的结算时间，因此DRAM厂为了使账面库存减少，只要价格在可以接受的水平将努力出清库存，因此6月下旬DRAM价格出现明显下跌。

       虽然目前市场需求因英特尔CPU降价而推迟，预计8月以后市场需求将逐渐回笼，届时DRAM价格也才会有比较好的表现。但是从历史经验来看，DRAM价格的决定往往是决定于供给端变化，因此除非DRQAM厂制程出问题影响供给，否则第三季DRAM价格旺季走势上涨空间也是有限。

NAND闪存现货市场买气平淡

       整体而言，上周NAND Flash现货市场的买气十分平淡，主要原因在于各下游厂商五月下旬所订的货在六月的前两周都有准时到货。基于这个因素，多数下游厂商目前的NAND Flash库存水位都还足够，并不急于此时进入现货市场买货，因此造成现货市场需求端方面的买气普遍平淡。

       在供给端方面，Hynix的4Gb产品价格目前在现货市场上与Samsung的4Gb产品价格有一段落差，使得许多在现货市场想要购买Samsung产品的买家都在观望Samsung的现货价格能否持续下调。也因此，上周Hynix的MLC产品现货价格普偏持稳且市场需求量相对于SLC产品来说较大。

       Hynix与Samsung在4Gb这个等级的产品价格会产生落差，一方面是Hynix采用MLC制程，而Samsung的MLC制程并没有4Gb这个等级的产品；另一方面Hynix目前的MLC制程技术尚未完全成熟，客户在使用MLC产品时仍有些疑虑存在，因此在现货市场上Hynix的MLC产品价格与Samsung的MLC产品价格会产生一段落差，这种情形在8Gb的现货市场也可以看到。

       此外，目前世界杯正在进行，欧洲和南美洲的NAND闪存现货交易市场几乎呈现半停顿状态，也是造成上周现货市场需求普偏低落的主因之一。