继五月营收频创新高，DRAM族群六月营收可望持稳攀升，尤其下半年DRAM、FLASH行情可望同步看俏，成为市场追踪观察标的。投信法人表示，DRAM族群五月营收悉数比四月增长，六月业绩可望伴随产能效益，续扬四％、五％。
       尤其，除了DDR1与DDR2的世代交替外，Mobile RAM（可携型记忆体）与Graphics（绘图卡用记忆体）的成长幅度也大于产能增加度，显示各大记忆体制造商也将MobileRAM与 Graphics RAM视为重要的产品线。伴随需求范围扩大，有利支撑今、明两年稳健行情。 
       力晶五月因新增产能挹注，单月营收六十三亿一千二百万元，创新高纪录。由于六月DRAM行情呈现持稳、小幅震荡走势，建华投顾推估，力晶六月营收约成长四．八％，达六十六亿一千万元，至于南亚科六月营收约成长一．五％，约五十八亿二千万元。
       茂德五月因中科12B产出增加幅度高于预期，单月营收三十八亿七千万元，比四月增长一八．七％之多。在预期90nm制程良率提升为八○％至八五％水准前提下，建华证券推估茂德六月营收约成长四．四％，达四十亿四千万元。
       分析师指出，第三季中旬起，DRAM产业供需可望逐渐好转。全球DRAM第三季约为供需平衡，但供需变化趋势将呈现渐入佳境；推估全球DRAM需求第三季约成长一九．九％，明显高于第二季的八．一％。
       供给方面，全球记忆体厂商在第二季的主要产能扩充仍以NAND Flash为主，尤其NAND Flash价格在季跌幅超过五成，第二季已刺激需求增加，加上第三季为消费性电子产品需求旺季，NAND Flash需求也将随之明显提升，使NAND Flash对DRAM产生之产能排挤效应在第三季更为显著。
       由于全球记忆体厂在下半年的DRAM产出将有较大幅增加为Samsung、力晶（部分为替Elpida代工产品）及茂德，推估第三季全球DRAM产出成长约为一二％，低于第二季的一五．九％。